Thèse CIFRE Approches innovantes pour promouvoir formation siliciure CoSi2 M/F
STMicroelectronics
Crolles, France
il y a 6j

Job description

Le site Crolles 300 est le centre de recherche de STMicroelectronics pour les technologies avancées des technologies RF qui sont au centre des futures innovations pour les réseaux mobiles et internet.

Ces technologies sont aussi développées par notre usine de Rousset, à côté d’Aix-en Provence, qui sera fortement impliquée dans cette thèse.

Ces nouvelles technologies sont réalisées dans un nœud technologique 65 nm, dimension de la taille de grille des transistors CMOS (pour Complementary Metal Oxyde Semiconductor).

Dans l’industrie du semi-conducteurs, les siliciures de Cobalt, de formule chimique CoSi2, ne sont généralement pas utilisés pour ces nœuds technologiques car le siliciure de Cobalt n’arrive pas à se former dans les petites dimensions.

Ceci est lié à la séquence de formation des différentes phases solides nécessaires à l’obtention d’une fine couche de CoSi2 dans les dispositifs CMOS.

Différentes solutions ont dores et déjà été proposées ou expérimentées. L’objectif de cette thèse est de proposer des approches innovantes pour démontrer la faisabilité d’une intégration d’un siliciure de Cobalt performant pour des filières industrielles 65 nm.

  • Ainsi les études abordées pour cette thèse seront : 1) déterminer l’influence des procédés de pré-amorphisation Ar, As, Ge et C sur la résistivité, la texture et la taille de grains du siliciure de Co ;
  • 2) identifier l’impact des éléments d’alliages notamment Ni ainsi que les procédés de dépôts (température, épaisseur) sur les propriétés du siliciure de Co.

    3) Estimer les effets bénéfiques d’approches disruptives comme des couches intermédiaires, déposées entre le Co et le Si ainsi que des nouveaux recuits.

    Pour ce faire, la thèse se déroulera au sein du laboratoire IM2NP à Marseille (Campus Saint Jérôme) qui mettra à disposition les équipements de caractérisations comme la sonde atomique tomographique, le microscope électronique à balayage, les caractérisations par rayons X et les mesures de résistivité.

    De manière précise, les échantillons seront réalisés à ST Crolles, à ST Rousset ou au laboratoire IM2NP où l’étudiant(e) sera formé(e) aux techniques de dépôts sous vide, de recuits et aux différentes techniques de caractérisations citées ci-dessus.

    Ainsi l’étudiant aura une formation pluridisciplinaire très complète durant la thèse et notamment une connaissance aigüe sur des méthodes de caractérisations de pointe.

    La direction de cette thèse sera assurée par Dominique Mangelinck, directeur de recherche au CNRS et co-encadrée par Magali Grégoire à STMicroelectronics.

    Profile

    Connaissances en micro-électronique et en thermodynamique

    Connaissances en physique des matériaux et méthodes de caractérisations associées à l’étude des films minces.

    Candidate criteria

    Education level required

    5 - Master degree

    Experience level required

    Languages

    English (2- Business fluent)

    30 / 09 / 2020

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