Caractérisation de la la grille des transistors AlGaN/GaN par cathodoluminescence H/F
CEA
Grenoble France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
il y a 5j

Domaine

Matériaux, physique du solide

Intitulé de l'offre

Caractérisation de la la grille des transistors AlGaN / GaN par cathodoluminescence H / F

Sujet de stage

Caractérisation par cathodo-luminescence des matériaux AlGaN / GaN (défauts, contraintes) :

  • étude de différents empilements produits par épitaxie
  • étude de l'impact de la gravure
  • Corrélation avec les performances électriques des transistors AlGaN / GaN

    Stage sur la plateforme nano-caractérisation : le candidat sera formé pour le travail sur équipements sous ultra-vide et à l'analyse de données

    Forte interaction avec les équipes de caractérisation électrique et d'intégration, et les équipes techniques en charge de la fabrication des composants

    Pratique de l'anglais journalière et présentations régulières devant les équipes LETI et partenaires industriels

    Durée du contrat (en mois)

    Description de l'offre

    La présence d'un gaz d'électrons bi-dimensionnel (2DEG) dans les hétérostructures AlGaN / GaN permet de produire des transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) qui sont naturellement normally-ON.

    Cependant dans le domaine de l'électronique de puissance, il est nécessaire d'utiliser des transistors à accumulation (normally-OFF).

    C'est pourquoi le CEA-LETI développe des transistors AlGaN / GaN MOSchannel HEMTs où l'AlGaN / GaN est gravé sous la grille pour réduire ou supprimer le 2DEG et où le canal est contrôlé par la structure MOS (métal-oxyde-semiconducteur).

    Cette structure permet d'obtenir des tensions de seuil positives et donc des composants normally-OFF.

    Cependant, la gravure de l'AlGaN / GaN peut induire des défauts dans la structure cristalline (implantation d'ions de gravure, endommagement de la maille cristalline, lacunes).

    Il est donc critique de pouvoir identifier ces défauts pour optimiser les procédés de fabrication et donc la performance des transistors.

    Profil du candidat

    Bonnes connaissances en physique du solide.

    Des connaissances de base sur les techniques de luminescence sont un plus.

    Bon niveau d'anglais

    Signaler cette offre d'emploi
    checkmark

    Thank you for reporting this job!

    Your feedback will help us improve the quality of our services.

    Postuler
    Mon email
    En cliquant sur « Continuer », je consens au traitement de mes données et à recevoir des alertes email, tel que détaillé dans la Politique de confidentialité de neuvoo. Je peux retirer mon consentement ou me désinscrire à tout moment.
    Continuer
    Formulaire de candidature